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IPD80R3K3P7ATMA1  与  AOD3N60  区别

型号 IPD80R3K3P7ATMA1 AOD3N60
唯样编号 A-IPD80R3K3P7ATMA1 A-AOD3N60
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 3.3
功率耗散(最大值) 18W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3500mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 4.6
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 500V -
栅极电压Vgs - 30V
Td(on)(ns) - 17
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.8nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 2.5A
Ciss(pF) - 304
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.3 欧姆 @ 590mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 175
Td(off)(ns) - 24
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 56.8W
Qrr(nC) - 1400
VGS(th) - 5
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 30uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 1.9A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 800V -
Coss(pF) - 31.4
Qg*(nC) - 9.9
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD80R3K3P7_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STD4NK80ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 25,000 对比
STD4NK80ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.311 

阶梯数 价格
20: ¥3.311
100: ¥2.552
1,250: ¥2.211
2,500: ¥2.112
5,000 对比
STD4NK80ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
FCD3400N80Z ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252AA

暂无价格 0 对比
AOD3N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 600V 30V 2.5A 56.8W 3500mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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