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IPD80R360P7ATMA1  与  AOD380A60  区别

型号 IPD80R360P7ATMA1 AOD380A60
唯样编号 A-IPD80R360P7ATMA1 A-AOD380A60
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 2.4
功率耗散(最大值) 84W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 380mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 6.6
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 930pF @ 500V -
栅极电压Vgs - 20V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 11A
Ciss(pF) - 955
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 360 毫欧 @ 5.6A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 251
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 125W
Qrr(nC) - 3100
VGS(th) - 3.2
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 280uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 13A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 800V -
Coss(pF) - 29
Qg*(nC) - 20
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD80R360P7ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD80R360P7_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
AOD380A60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 600V 20V 11A 125W 380mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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