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IPD80R2K4P7ATMA1  与  TK4P60DB(T6RSS-Q)  区别

型号 IPD80R2K4P7ATMA1 TK4P60DB(T6RSS-Q)
唯样编号 A-IPD80R2K4P7ATMA1 A-TK4P60DB(T6RSS-Q)
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3 MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 22W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 600 V
Pd-功率耗散(Max) - 80W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 2 欧姆 @ 1.9A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 500V 540 pF @ 25 V
Vgs(th) - 4.4V @ 1mA
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 11 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 D-Pak
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 40uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.5nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 3.7A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2.4 欧姆 @ 800mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V ±30V
25°C时电流-连续漏极(Id) 2.5A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
漏源电压(Vdss) 800V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD80R2K4P7_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
FCD2250N80Z ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

2.6A(Tc) ±20V 39W(Tc) 2.25 Ohms@1.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 800V 2.6A TO-252AA

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AOD4N60_001 AOS  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比
TK4P60DB(T6RSS-Q) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 80W(Tc) D-Pak 150°C(TJ) 600 V 3.7A(Ta)

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