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IPD80R2K4P7ATMA1  与  FCD2250N80Z  区别

型号 IPD80R2K4P7ATMA1 FCD2250N80Z
唯样编号 A-IPD80R2K4P7ATMA1 A-FCD2250N80Z
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 22W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.25 Ohms@1.3A,10V
漏源极电压Vds - 800V
Pd-功率耗散(Max) - 39W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 500V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252AA
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 40uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.5nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 2.6A
系列 - SuperFET® II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 260µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 585pF @ 100V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2.4 欧姆 @ 800mA,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 2.5A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 800V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD80R2K4P7_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
FCD2250N80Z ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

2.6A(Tc) ±20V 39W(Tc) 2.25 Ohms@1.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 800V 2.6A TO-252AA

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AOD4N60_001 AOS  数据手册 功率MOSFET

4A(Tc) N-Channel ±30V 2.3 Ω @ 2A,10V TO-252,(D-Pak) 104W(Tc) -50°C ~ 150°C(TJ) 600V

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TK4P60DB(T6RSS-Q) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 80W(Tc) D-Pak 150°C(TJ) 600 V 3.7A(Ta)

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