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IPD80R2K0P7ATMA1  与  STD4N80K5  区别

型号 IPD80R2K0P7ATMA1 STD4N80K5
唯样编号 A-IPD80R2K0P7ATMA1 A36-STD4N80K5
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3 N-channel 800 V 3 A 2.5 Ohm Surface Mount Power MOSFET - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 24W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 175pF @ 500V -
FET类型 N 通道 -
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 50uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 9nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2 欧姆 @ 940mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 3A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 800V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD80R2K0P7ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD80R2K0P7_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

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FCD2250N80Z ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

2.6A(Tc) ±20V 39W(Tc) 2.25 Ohms@1.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 800V 2.6A TO-252AA

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