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IPD80R1K0CEATMA1  与  FCD900N60Z  区别

型号 IPD80R1K0CEATMA1 FCD900N60Z
唯样编号 A-IPD80R1K0CEATMA1 A3-FCD900N60Z
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs -55°C~150°C 900mΩ@2.3A,10V
漏源极电压Vds 800V 600V
Pd-功率耗散(Max) 83W 52W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,Dpak,SC-63
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.7A 4.5A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 720pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 17nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD80R1K0CEATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD80R1K0CE_TO-252-3 N-Channel 83W -55°C~150°C -55°C~150°C ±20V 800V 5.7A

暂无价格 0 当前型号
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暂无价格 0 对比
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