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IPD80P03P4L07ATMA1  与  AOD423  区别

型号 IPD80P03P4L07ATMA1 AOD423
唯样编号 A-IPD80P03P4L07ATMA1 A-AOD423
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 375
功率耗散(最大值) 88W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 8mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 12
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 5700pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 25V
Td(on)(ns) - 13
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 80nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
连续漏极电流Id - -70A
Ciss(pF) - 2760
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 6.8 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) +5V,-16V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 15
Td(off)(ns) - 35
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - -30V
Pd-功率耗散(Max) - 90W
Qrr(nC) - 30
VGS(th) - -3.5
FET类型 P 通道 P-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 130uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 30V -
Coss(pF) - 550
Qg*(nC) - 45*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD80P03P4L07ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD80P03P4L-07_P 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
AOD423 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 P-Channel -30V 25V -70A 90W 8mΩ@10V

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