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IPD75N04S406ATMA1  与  IPD70N04S3-07  区别

型号 IPD75N04S406ATMA1 IPD70N04S3-07
唯样编号 A-IPD75N04S406ATMA1 A-IPD70N04S3-07
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 58W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6mΩ@70A,10V
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 79W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2550pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 PG-TO252-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 26uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 82A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5.9 毫欧 @ 75A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 75A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 40V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2700pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 40nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD75N04S406ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD75N04S4-06_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
DMTH4007SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 3.1W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~175℃(TJ) 40V 17.6A(Ta),76A(Tc)

暂无价格 0 对比
IPD70N04S3-07 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 40V 82A(Tc) ±20V 79W(Tc) 6mΩ@70A,10V -55°C~175°C(TJ) PG-TO252-3

暂无价格 0 对比
AOD242 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 40V 20V 54A 53.5W 5.8mΩ@10V

暂无价格 0 对比
BUK9209-40B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9209-40B_SOT428 N-Channel 167W 185℃ 1.5V 40V 75A

¥15.7021 

阶梯数 价格
400: ¥15.7021
1,000: ¥10.829
1,250: ¥9.1771
2,500: ¥7.5222
0 对比

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