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IPD70R900P7SAUMA1  与  AOD950A70  区别

型号 IPD70R900P7SAUMA1 AOD950A70
唯样编号 A-IPD70R900P7SAUMA1 A-AOD950A70
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 1.4
功率耗散(最大值) 30.5W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 950mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 2.8
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 211pF @ 400V -
栅极电压Vgs - 20V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.8nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 5A
Ciss(pF) - 461
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 900 毫欧 @ 1.1A,10V -
Vgs(最大值) ±16V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 200
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 700V
Pd-功率耗散(Max) - 56.5W
Qrr(nC) - 2000
VGS(th) - 4.1
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 60uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 6A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 700V -
Coss(pF) - 15
Qg*(nC) - 10
库存与单价
库存 0 2,540
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥3.6735
100+ :  ¥2.6471
1,000+ :  ¥2.2785
2,500+ :  ¥1.8
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阶梯数 价格
1: ¥3.6735
100: ¥2.6471
1,000: ¥2.2785
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暂无价格 0 对比

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