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IPD65R660CFDATMA2  与  IPD65R660CFD  区别

型号 IPD65R660CFDATMA2 IPD65R660CFD
唯样编号 A-IPD65R660CFDATMA2 A-IPD65R660CFD
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3-313
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 63W(Tc) -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 660mΩ
上升时间 - 8ns
Qg-栅极电荷 - 22nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 615pF @ 100V -
栅极电压Vgs - 30V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 6A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 660 毫欧 @ 2.1A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
下降时间 - 10ns
高度 - 2.3mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 63W
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 200uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSCFD2
25°C时电流-连续漏极(Id) 6A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 700V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD65R660CFDATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

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IPD65R660CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R660CFDATMA1_650V 6A 660mΩ 30V 63W N-Channel

暂无价格 0 对比

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