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IPD65R650CEAUMA1  与  FCD620N60ZF  区别

型号 IPD65R650CEAUMA1 FCD620N60ZF
唯样编号 A-IPD65R650CEAUMA1 A-FCD620N60ZF
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3 600v, 7.3a, 620mohm, n-ch, dpak
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 86W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 620m Ohms@3.6A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 89W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252AA
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 210uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 7.3A
系列 - HiPerFET™,Polar™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1135pF @ 25V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 650 毫欧 @ 2.1A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 7A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 650V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD65R650CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R650CE_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IPD65R650CE Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R650CEATMA1_650mΩ 650V 7A DPAK (TO-252) -40.0°C N-Channel 2.5V,3.5V

暂无价格 2,500 对比
STD9NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.432 

阶梯数 价格
20: ¥3.432
100: ¥2.86
1,250: ¥2.596
2,037 对比
STD9NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
STD9NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
FCD620N60ZF ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

7.3A(Tc) ±20V 89W(Tc) 620m Ohms@3.6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 600V 7.3A TO-252AA

暂无价格 0 对比

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