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IPD65R380E6ATMA1  与  TK12P60W,RVQ  区别

型号 IPD65R380E6ATMA1 TK12P60W,RVQ
唯样编号 A-IPD65R380E6ATMA1 A-TK12P60W,RVQ
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 83W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 600 V
Pd-功率耗散(Max) - 100W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 340 毫欧 @ 5.8A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 100V 890 pF @ 300 V
Vgs(th) - 3.7V @ 600uA
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 25 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 320uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 11.5A(Ta)
FET功能 - 超级结
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 380 毫欧 @ 3.2A,10V -
Vgs(最大值) ±20V ±30V
25°C时电流-连续漏极(Id) 10.6A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
漏源电压(Vdss) 650V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD65R380E6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R380E6_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
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DPAK

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STD13N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

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IPD65R380C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R380C6ATMA1_6.5mm

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