首页 > 商品目录 > > > > IPD65R380C6ATMA1代替型号比较

IPD65R380C6ATMA1  与  IPD65R380E6ATMA1  区别

型号 IPD65R380C6ATMA1 IPD65R380E6ATMA1
唯样编号 A-IPD65R380C6ATMA1 A-IPD65R380E6ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 83W(Tc) 83W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 100V 710pF @ 100V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 320uA 3.5V @ 320uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 10V 39nC @ 10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 380 毫欧 @ 3.2A,10V 380 毫欧 @ 3.2A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 10.6A(Tc) 10.6A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
漏源电压(Vdss) 650V 650V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD65R380C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R380C6_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
STD13NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
STD13NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
STD13NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
IPD65R380E6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R380E6_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
IPD65R380C6BTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R380C6_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售