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IPD65R1K0CEAUMA1  与  STD9N80K5  区别

型号 IPD65R1K0CEAUMA1 STD9N80K5
唯样编号 A-IPD65R1K0CEAUMA1 A-STD9N80K5
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 7.2A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 68W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 328pF @ 100V -
FET类型 N 通道 -
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.3nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
FET功能 超级结 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1 欧姆 @ 1.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 7.2A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 650V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD65R1K0CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R1K0CE_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
R6004ENDTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

暂无价格 0 对比
STD9N80K5 STMicro  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比

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