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IPD60R950C6ATMA1  与  R6004ENDTL  区别

型号 IPD60R950C6ATMA1 R6004ENDTL
唯样编号 A-IPD60R950C6ATMA1 A33-R6004ENDTL-0
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3 MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 37W(Tc) 20W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 280pF @ 100V 250pF @ 25V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 CPT3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 130uA 4V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 950 毫欧 @ 1.5A,10V 980 毫欧 @ 1.5A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 4.4A(Tc) 4A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
漏源电压(Vdss) 600V 600V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
库存与单价
库存 0 2,150
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥6.4298
50+ :  ¥4.7242
100+ :  ¥4.1588
500+ :  ¥3.7851
1,000+ :  ¥3.7084
2,000+ :  ¥3.6509
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD60R950C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R950C6_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
R6004ENDTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥6.4298 

阶梯数 价格
30: ¥6.4298
50: ¥4.7242
100: ¥4.1588
500: ¥3.7851
1,000: ¥3.7084
2,000: ¥3.6509
2,150 对比
R6004ENDTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥6.4298 

阶梯数 价格
30: ¥6.4298
50: ¥4.7242
100: ¥4.1588
500: ¥3.7851
1,000: ¥3.7084
1,649 对比
IPB60R950C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R950C6ATMA1_600V 4.4A 950mΩ 20V 37W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
STD9N80K5 STMicro  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
IPD60R950C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R950C6ATMA1_-55°C~150°C(TJ) PG-TO252-3 600V 4.4A 860mΩ 20V 37W N-Channel

暂无价格 0 对比

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