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IPD60R800CEAUMA1  与  FCD850N80Z  区别

型号 IPD60R800CEAUMA1 FCD850N80Z
唯样编号 A-IPD60R800CEAUMA1 A-FCD850N80Z
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 CONSUMER FCD850N80Z Series 800 V 6 A 850 mOhm N-Channel SuperFet II Mosfet -TO-252-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 850mΩ@3A,10V
漏源极电压Vds 600V 800V
Pd-功率耗散(Max) - 75W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 PG-TO252-3 DPAK
连续漏极电流Id 8.4A 6A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
系列 - SuperFET® II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 600µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1315pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 29nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 600µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1315pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 29nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD60R800CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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FCD850N80Z ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

6A(Tc) ±20V 75W(Tc) 850mΩ@3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 800V 6A

暂无价格 0 对比
FCD850N80Z ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

6A(Tc) ±20V 75W(Tc) 850mΩ@3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 800V 6A

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