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IPD60R600P7ATMA1  与  STD11N60DM2  区别

型号 IPD60R600P7ATMA1 STD11N60DM2
唯样编号 A-IPD60R600P7ATMA1 A-STD11N60DM2
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3 MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 30W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 363pF @ 400V -
FET类型 N 通道 -
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 80uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 9nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 600 毫欧 @ 1.7A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 6A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 650V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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IPD60R600P7_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

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