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IPD60R600P6ATMA1  与  TK7P60W,RVQ  区别

型号 IPD60R600P6ATMA1 TK7P60W,RVQ
唯样编号 A-IPD60R600P6ATMA1 A-TK7P60W,RVQ
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3 MOSFET N CH 600V 7A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 63W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 600 V
Pd-功率耗散(Max) - 60W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 600 毫欧 @ 3.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 557pF @ 100V 490 pF @ 300 V
Vgs(th) - 3.7V @ 350uA
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 15 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 200uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 7A(Ta)
FET功能 - 超级结
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 600 毫欧 @ 2.4A,10V -
Vgs(最大值) ±20V ±30V
25°C时电流-连续漏极(Id) 7.3A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
漏源电压(Vdss) 600V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD60R600P6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R600P6_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
FCD850N80Z ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

6A(Tc) ±20V 75W(Tc) 850mΩ@3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 800V 6A

暂无价格 0 对比
TK11P65W,RQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 100W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 650 V 11.1A(Ta)

暂无价格 0 对比
FCD850N80Z ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

6A(Tc) ±20V 75W(Tc) 850mΩ@3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 800V 6A

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TK8P60W5,RVQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 80W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 600 V 8A(Ta)

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TK7P60W,RVQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 60W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 600 V 7A(Ta)

暂无价格 0 对比

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