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IPD60R600C6ATMA1  与  FCD850N80Z  区别

型号 IPD60R600C6ATMA1 FCD850N80Z
唯样编号 A-IPD60R600C6ATMA1 A3-FCD850N80Z
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3 FCD850N80Z Series 800 V 6 A 850 mOhm N-Channel SuperFet II Mosfet -TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 63W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 850mΩ@3A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 20.5nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 6A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 600 毫欧 @ 2.4A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 600µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1315pF @ 100V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 800V
Pd-功率耗散(Max) - 75W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200uA -
系列 - SuperFET® II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 600µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1315pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 29nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 7.3A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 600V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 29nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD60R600C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R600C6_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
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