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IPD60R600C6ATMA1  与  IPD60R600E6  区别

型号 IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600E6
唯样编号 A-IPD60R600C6ATMA1 A-IPD60R600E6
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 63W(Tc) -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 540mΩ
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 100V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
栅极电压Vgs - 20V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 20.5nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 7.3A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 600 毫欧 @ 2.4A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 200µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 440pF
高度 - 2.3mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 63W
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200uA -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 100V
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSE6
25°C时电流-连续漏极(Id) 7.3A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 600V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20.5nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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