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IPD60R600C6ATMA1  与  IPD60R600C6BTMA1  区别

型号 IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6BTMA1
唯样编号 A-IPD60R600C6ATMA1 A-IPD60R600C6BTMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3 MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 63W(Tc) 63W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 100V 440pF @ 100V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200uA 3.5V @ 200uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 20.5nC @ 10V 20.5nC @ 10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 600 毫欧 @ 2.4A,10V 600 毫欧 @ 2.4A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 7.3A(Tc) 7.3A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
漏源电压(Vdss) 600V 600V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD60R600C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R600C6_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
FCD850N80Z ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

6A(Tc) ±20V 75W(Tc) 850mΩ@3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 800V 6A

暂无价格 0 对比
FCD850N80Z ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

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TK10P60W,RVQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 80W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 600 V 9.7A(Ta)

暂无价格 0 对比
IPD60R600E6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R600E6ATMA1_-55°C~150°C(TJ) 7.3A 540mΩ 20V 63W N-Channel 600V

暂无价格 0 对比
IPD60R600C6BTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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