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IPD60R460CEAUMA1  与  STD10NM60N  区别

型号 IPD60R460CEAUMA1 STD10NM60N
唯样编号 A-IPD60R460CEAUMA1 A36-STD10NM60N
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 CONSUMER MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PG-TO252-3 TO-252-3
连续漏极电流Id 13.1A 10A
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 550mΩ@4A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) - 70W
栅极电压Vgs - ±25V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 0 2,671
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥4.697
100+ :  ¥3.916
1,250+ :  ¥3.564
2,500+ :  ¥3.421
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD60R460CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R460CE_N-Channel 600V 13.1A PG-TO252-3

暂无价格 0 当前型号
STD10N60DM2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 10,000 对比
STD10NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3 N-Channel 70W 550mΩ@4A,10V -55°C~150°C ±25V 600V 10A

¥4.697 

阶梯数 价格
20: ¥4.697
100: ¥3.916
1,250: ¥3.564
2,500: ¥3.421
2,671 对比
STD10NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3 N-Channel 70W 550mΩ@4A,10V -55°C~150°C ±25V 600V 10A

暂无价格 2,500 对比
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