IPD60R400CE 与 SIHD7N60E-GE3 区别
| 型号 | IPD60R400CE | SIHD7N60E-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IPD60R400CE | A-SIHD7N60E-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | E-Series N-Channel 600 V 78 W 600 mO 40 nC Surface Mount Power MOSFET - DPAK-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 400mΩ | 600 mOhms @ 3.5A,10V |
| Moisture Level | 3 | - |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 78W(Tc) |
| Rth | 1.5K/W | - |
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA |
| RthJA max | 62.0K/W | - |
| 栅极电压Vgs | 2.5V,3.5V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| Pin Count | 3.0Pins | - |
| 封装/外壳 | DPAK (TO-252) | TO-252 |
| Mounting | SMT | - |
| 连续漏极电流Id | 10.3A | 7A(Tc) |
| 工作温度 | -40°C~150°C | -55°C~150°C |
| Ptot max | 83.0W | - |
| QG | 32.0nC | - |
| Vgs(最大值) | - | ±30V |
| Budgetary Price €/1k | 0.29 | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 35 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPD60R400CE | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
400mΩ 600V 10.3A DPAK (TO-252) N-Channel -40°C~150°C 2.5V,3.5V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SIHD7N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
7A(Tc) N-Channel 600 mOhms @ 3.5A,10V 78W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 35 | 对比 |
|
SIHD14N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
13A(Tc) N-Channel 309 mOhms @ 7A,10V 147W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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