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IPD60R400CEAUMA1  与  STD16N60M2  区别

型号 IPD60R400CEAUMA1 STD16N60M2
唯样编号 A-IPD60R400CEAUMA1 A-STD16N60M2
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 112W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 100V -
FET类型 N 通道 -
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 300uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 400 毫欧 @ 3.8A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 14.7A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 600V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD60R400CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R400CE_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
AOD11S60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 600V 30V 11A 208W 399mΩ@10V

¥6.809 

阶梯数 价格
8: ¥6.809
57 对比
STD16N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
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