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IPD60R3K4CEAUMA1  与  R6002END3TL1  区别

型号 IPD60R3K4CEAUMA1 R6002END3TL1
唯样编号 A-IPD60R3K4CEAUMA1 A33-R6002END3TL1-0
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 2.6A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 29W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.4Ω
上升时间 - 16ns
Qg-栅极电荷 - 6.5nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 93pF @ 100V -
栅极电压Vgs - 2V
正向跨导 - 最小值 - 0.5S
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.6nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 1.7A
配置 - Single
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.4 欧姆 @ 500mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
下降时间 - 60ns
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 26W
典型关闭延迟时间 - 25ns
FET类型 N 通道 -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 40uA -
通道数量 - 1Channel
25°C时电流-连续漏极(Id) 2.6A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 650V -
典型接通延迟时间 - 12ns
库存与单价
库存 0 2,500
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥5.7782
50+ :  ¥4.0726
100+ :  ¥3.5072
500+ :  ¥3.1335
1,000+ :  ¥3.0568
2,000+ :  ¥2.9993
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD60R3K4CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R3K4CE_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STD3NK60ZT4 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 45W(Tc) 3.6Ω@1.2A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2.4A

暂无价格 7,500 对比
R6002END3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

1.7A 26W 3.4Ω 600V 2V TO-252-3 -55°C~150°C

¥5.7782 

阶梯数 价格
30: ¥5.7782
50: ¥4.0726
100: ¥3.5072
500: ¥3.1335
1,000: ¥3.0568
2,000: ¥2.9993
2,500 对比
R6002END3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

1.7A 26W 3.4Ω 600V 2V TO-252-3 -55°C~150°C

¥5.7782 

阶梯数 价格
30: ¥5.7782
50: ¥4.0726
100: ¥3.5072
500: ¥3.1335
1,000: ¥3.0568
1,736 对比
STD3NK60ZT4 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 45W(Tc) 3.6Ω@1.2A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2.4A

¥2.761 

阶梯数 价格
20: ¥2.761
100: ¥2.123
227 对比
STD3NK60ZT4 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 45W(Tc) 3.6Ω@1.2A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2.4A

暂无价格 0 对比

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