首页 > 商品目录 > > > > IPD60R3K4CEAUMA1代替型号比较

IPD60R3K4CEAUMA1  与  STD3NK60ZT4  区别

型号 IPD60R3K4CEAUMA1 STD3NK60ZT4
唯样编号 A-IPD60R3K4CEAUMA1 A3-STD3NK60ZT4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 2.6A TO252-3 N-Channel 600 V 3.6 Ohm Surface Mount SuperMESH Power MosFet -TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 29W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.6Ω@1.2A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 45W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 93pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 40uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.6nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 2.4A
系列 - SuperMESH™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 311pF @ 25V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.4 欧姆 @ 500mA,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11.8nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 2.6A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 650V -
库存与单价
库存 0 7,500
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD60R3K4CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R3K4CE_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STD3NK60ZT4 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 45W(Tc) 3.6Ω@1.2A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2.4A

暂无价格 7,500 对比
R6002END3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

1.7A 26W 3.4Ω 600V 2V TO-252-3 -55°C~150°C

¥5.7782 

阶梯数 价格
30: ¥5.7782
50: ¥4.0726
100: ¥3.5072
500: ¥3.1335
1,000: ¥3.0568
2,000: ¥2.9993
2,500 对比
R6002END3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

1.7A 26W 3.4Ω 600V 2V TO-252-3 -55°C~150°C

¥5.7782 

阶梯数 价格
30: ¥5.7782
50: ¥4.0726
100: ¥3.5072
500: ¥3.1335
1,000: ¥3.0568
1,736 对比
STD3NK60ZT4 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 45W(Tc) 3.6Ω@1.2A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2.4A

¥2.761 

阶梯数 价格
20: ¥2.761
100: ¥2.123
227 对比
STD3NK60ZT4 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 45W(Tc) 3.6Ω@1.2A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2.4A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售