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IPD60R385CPATMA1  与  AOD11S60  区别

型号 IPD60R385CPATMA1 AOD11S60
唯样编号 A-IPD60R385CPATMA1 A36-AOD11S60
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 1.42
功率耗散(最大值) 83W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 399mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 3.8
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 790pF @ 100V -
栅极电压Vgs - 30V
Td(on)(ns) - 20
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 11A
Ciss(pF) - 545
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 385 毫欧 @ 5.2A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 250
Td(off)(ns) - 59
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 208W
Qrr(nC) - 3300
VGS(th) - 4.1
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 340uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 9A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 600V -
Coss(pF) - 37.3
Qg*(nC) - 11*
库存与单价
库存 0 28
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
8+ :  ¥6.809
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD60R385CPATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R385CP_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STD13N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 20,000 对比
STD13N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥2.7324 

阶梯数 价格
20: ¥2.7324
100: ¥2.2671
1,250: ¥2.0691
2,500: ¥1.98
5,343 对比
AOD11S60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 600V 30V 11A 208W 399mΩ@10V

¥6.809 

阶梯数 价格
8: ¥6.809
28 对比
STD13N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
STD13N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

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