首页 > 商品目录 > > > > IPD60R380P6ATMA1代替型号比较

IPD60R380P6ATMA1  与  R6011END3TL1  区别

型号 IPD60R380P6ATMA1 R6011END3TL1
唯样编号 A-IPD60R380P6ATMA1 A33-R6011END3TL1
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 83W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 124W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 390mOhms@3.8A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 877pF @ 100V -
栅极电压Vgs - 4V@1mA
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 320uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 19nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 11A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 380 毫欧 @ 3.8A,10V -
Vgs(最大值) ±20V ±20V
栅极电荷Qg - 32nC@10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 10.6A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 600V -
库存与单价
库存 0 28
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD60R380P6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R380P6_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
R6011END3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 28 对比
STD13N60DM2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IPD60R380P6BTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
STD13N60DM2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IPD60R450E6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R450E6ATMA1_6.5mm DPAK(TO-252)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售