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IPD60R380P6ATMA1  与  IPD60R450E6  区别

型号 IPD60R380P6ATMA1 IPD60R450E6
唯样编号 A-IPD60R380P6ATMA1 A-IPD60R450E6
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 83W(Tc) -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 450mΩ
Rth - 1.7K/W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 877pF @ 100V -
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 2.5V,3.5V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK (TO-252)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 19nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 9.2A
配置 - Single
Ptot max - 74.0W
长度 - 6.5mm
QG - 28.0nC
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 380 毫欧 @ 3.8A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
高度 - 2.3mm
Budgetary Price €€/1k - 0.5
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 74W
FET类型 N 通道 N-Channel
Pin Count - 3.0Pins
Mounting - SMT
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 320uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSE6
25°C时电流-连续漏极(Id) 10.6A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 600V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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