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IPD60R360P7SE8228AUMA1  与  IPD60R360P7S  区别

型号 IPD60R360P7SE8228AUMA1 IPD60R360P7S
唯样编号 A-IPD60R360P7SE8228AUMA1 A-IPD60R360P7S
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 41W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 360mΩ
Rth - 3.04K/W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 555pF @ 400V -
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 3V,4V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK (TO-252)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -40°C~150°C
连续漏极电流Id - 9A
Ptot max - 41.0W
QG - 13.0nC
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 360 毫欧 @ 2.7A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
RthJC max - 3.04K/W
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Moisture Level - 3
漏源极电压Vds - 600V
FET类型 N 通道 N-Channel
Qgd - 4.0nC
Pin Count - 3.0Pins
Mounting - SMT
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 140uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 9A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 600V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD60R360P7SE8228AUMA1 Infineon 功率MOSFET

TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
IPD60R360P7S Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPD60R360P7SAUMA1_DPAK(TO-252)

¥3.839 

阶梯数 价格
20: ¥3.839
100: ¥2.959
1,250: ¥2.574
2,500: ¥2.42
5,000 对比
IPD60R360P7SAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R360P7S_TO-252-3

¥3.839 

阶梯数 价格
20: ¥3.839
100: ¥2.959
404 对比
IPD60R360P7SAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R360P7S_TO-252-3

暂无价格 0 对比
IPD60R360P7S Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPD60R360P7SAUMA1_DPAK(TO-252)

暂无价格 0 对比

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