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IPD60R2K0C6ATMA1  与  AOD4T60P  区别

型号 IPD60R2K0C6ATMA1 AOD4T60P
唯样编号 A-IPD60R2K0C6ATMA1 A-AOD4T60P
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 22.3W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.1 Ω @ 2A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 83W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252,(D-Pak)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 60uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 4A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2 欧姆 @ 760mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
栅极电荷Qg - 15nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 2.4A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 600V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD60R2K0C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R2K0C6_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
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