IPD60R280P7 与 R6014YND3TL1 区别
| 型号 | IPD60R280P7 | R6014YND3TL1 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-IPD60R280P7 | A32-R6014YND3TL1 | ||||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Nch 600V 14A, TO-252, Power MOSFET | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||||||||||
| RthJA max | 62.0K/W | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | 3V,4V | - | ||||||||||
| Special Features | price/performance | - | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||
| Qgd | 5.0 nC | - | ||||||||||
| Pin Count | 3.0Pins | - | ||||||||||
| 封装/外壳 | DPAK (TO-252) | TO-252 | ||||||||||
| Mounting | SMT | - | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 12A | - | ||||||||||
| RthJC max | 2.36 K/W | - | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||
| QG (typ @10V) | 18.0 nC | - | ||||||||||
| Ptot max | 53.0W | - | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 280mΩ | - | ||||||||||
| Budgetary Price €/1k | 0.63 | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 7,500 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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IPD60R280P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
280mΩ 600V 12A DPAK (TO-252) -55°C~150°C N-Channel 3V,4V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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R6014YND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
￥12.1467
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7,500 | 对比 | ||||||||||||
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R6014YND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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