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IPD60R280P7S  与  R6014YND3TL1  区别

型号 IPD60R280P7S R6014YND3TL1
唯样编号 A-IPD60R280P7S A-R6014YND3TL1
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 600V 14A, TO-252, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 280mΩ -
漏源极电压Vds 600V -
Rth 2.36K/W -
RthJA max 62.0K/W -
栅极电压Vgs 3V,4V -
FET类型 N-Channel -
Qgd 5.0nC -
Pin Count 3.0Pins -
封装/外壳 DPAK (TO-252) TO-252
Mounting SMT -
连续漏极电流Id 12A -
工作温度 -40°C~150°C -
Ptot max 53.0W -
QG 18.0nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD60R280P7S Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPD60R280P7SAUMA1_DPAK(TO-252)

暂无价格 0 当前型号
R6014YND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252

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