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IPD60R280CFD7ATMA1  与  R6013VND3TL1  区别

型号 IPD60R280CFD7ATMA1 R6013VND3TL1
唯样编号 A-IPD60R280CFD7ATMA1 A-R6013VND3TL1
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3 600V 13A TO-252, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 51W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 807pF @ 400V -
FET类型 N 通道 -
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 180uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 18nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 280 毫欧 @ 3.6A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 9A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 650V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD60R280CFD7ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R280CFD7_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
TK290P60Y,RQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 100W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 600 V 11.5A(Tc)

暂无价格 0 对比
R6013VND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 100 对比
R6013VND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥13.5208 

阶梯数 价格
20: ¥13.5208
35 对比
R6013VND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 对比

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