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IPD60R1K5PFD7SAUMA1  与  IPD65R1K4CFDATMA2  区别

型号 IPD60R1K5PFD7SAUMA1 IPD65R1K4CFDATMA2
唯样编号 A-IPD60R1K5PFD7SAUMA1 A-IPD65R1K4CFDATMA2
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 3.6A TO252 MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 22W(Tc) 28.4W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 169pF @ 400V 262pF @ 100V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 40uA 4.5V @ 100uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.6nC @ 10V 10nC @ 10V
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.5 欧姆 @ 700mA,10V 1.4 欧姆 @ 1A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 3.6A(Tc) 2.8A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
漏源电压(Vdss) 650V 650V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IPD65R1K4CFDATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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