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IPD60R1K0PFD7S  与  R6007RND3TL1  区别

型号 IPD60R1K0PFD7S R6007RND3TL1
唯样编号 A-IPD60R1K0PFD7S A3-R6007RND3TL1
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.8A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 0.05mA 漏源导通电阻:1Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):26W(Tc) 类型:N沟道 600V 7A TO-252, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - TO-252
库存与单价
库存 0 200
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD60R1K0PFD7S Infineon 功率MOSFET

暂无价格 0 当前型号
R6007RND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 200 对比
R6007RND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥10.8952 

阶梯数 价格
20: ¥10.8952
50: ¥6.3532
80 对比
R6007RND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 对比

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