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IPD60R1K0CEAUMA1  与  STD7NM60N  区别

型号 IPD60R1K0CEAUMA1 STD7NM60N
唯样编号 A-IPD60R1K0CEAUMA1 A3-STD7NM60N
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 CONSUMER Single N-Channel 600 V 0.9 Ohm 14 nC 45 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 900mΩ@2.5A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) - 45W(Tc)
栅极电压Vgs - ±25V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DPAK DPAK
连续漏极电流Id 4.3A 5A
工作温度 - 150°C(TJ)
系列 - MDmesh™ II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 363pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 0 10,000
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R1K0CE_N-Channel 600V 4.3A DPAK

暂无价格 0 当前型号
STD7NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 45W(Tc) 900mΩ@2.5A,10V 150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 5A

暂无价格 10,000 对比
AOD950A70 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 700V 20V 5A 56.5W 950mΩ@10V

¥3.6735 

阶梯数 价格
1: ¥3.6735
100: ¥2.6471
1,000: ¥2.2785
2,500: ¥1.8
2,540 对比
STD7NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 45W(Tc) 900mΩ@2.5A,10V 150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 5A

¥3.597 

阶梯数 价格
20: ¥3.597
100: ¥2.992
1,250: ¥2.717
2,500: ¥2.607
2,500 对比
STD7NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 45W(Tc) 900mΩ@2.5A,10V 150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 5A

暂无价格 0 对比

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