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IPD60R180P7SE8228AUMA1  与  IPD60R180P7S  区别

型号 IPD60R180P7SE8228AUMA1 IPD60R180P7S
唯样编号 A-IPD60R180P7SE8228AUMA1 A-IPD60R180P7S
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 72W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 180mΩ
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1081pF @ 400V -
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 3V,4V
Special Features - price/performance
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK (TO-252)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -40°C~150°C
连续漏极电流Id - 18A
QG (typ @10V) - 25.0 nC
Ptot max - 72.0W
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 180 毫欧 @ 5.6A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Budgetary Price €€/1k - 0.54
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
FET类型 N 通道 N-Channel
Qgd - 8.0nC
Pin Count - 3.0 Pins
Mounting - SMT
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 280uA -
RthJC max - 1.74 K/W
25°C时电流-连续漏极(Id) 18A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 600V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD60R180P7SE8228AUMA1 Infineon 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IPD60R180P7SAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R180P7S_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD60R180P7S Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R180P7SAUMA1_180mΩ 600V 18A DPAK (TO-252) -40°C~150°C N-Channel 3V,4V

暂无价格 0 对比

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