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IPD60R170CFD7ATMA1  与  IPL65R460CFD  区别

型号 IPD60R170CFD7ATMA1 IPL65R460CFD
唯样编号 A-IPD60R170CFD7ATMA1 A-IPL65R460CFD
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 14A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 76W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 460mΩ
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1199pF @ 400V -
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 3.5V,4.5V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 ThinPAK 8x8
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 28nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -40.0°C
连续漏极电流Id - 8.3A
QG (typ @10V) - 31.5 nC
Ptot max - 83.3W
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 170 毫欧 @ 6A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Budgetary Price €€/1k - 0.86
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 650V
FET类型 N 通道 N-Channel
Pin Count - 5.0 Pins
Mounting - SMT
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 300uA -
RthJC max - 1.5 K/W
25°C时电流-连续漏极(Id) 14A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 650V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD60R170CFD7ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R170CFD7_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IPL65R460CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPL65R460CFDAUMA1_460mΩ 650V 8.3A ThinPAK 8x8 -40.0°C N-Channel 3.5V,4.5V

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