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IPD60N10S412ATMA1  与  DMTH8012LK3-13  区别

型号 IPD60N10S412ATMA1 DMTH8012LK3-13
唯样编号 A-IPD60N10S412ATMA1 A-DMTH8012LK3-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3 MOSFET N-CH 80V 50A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 94W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 80V
Pd-功率耗散(Max) - 2.6W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 16mΩ@12A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2470pF @ 25V 1949 pF @ 40 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 34 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 46uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id - 50A(Tc)
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 12.2 毫欧 @ 60A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 60A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 100V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD60N10S412ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60N10S4-12_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
AUIRFR3710Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 18mΩ@33A,10V N-Channel 100V 56A D-Pak 车规

暂无价格 0 对比
AUIRFR3710ZTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

100V 56A 18mΩ 20V 140W N-Channel 车规

暂无价格 0 对比
DMTH8012LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.6W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~175℃(TJ) 80V 50A(Tc)

暂无价格 0 对比

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