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IPD60N10S412ATMA1  与  AUIRFR3710Z  区别

型号 IPD60N10S412ATMA1 AUIRFR3710Z
唯样编号 A-IPD60N10S412ATMA1 A-AUIRFR3710Z
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3 Single N-Channel 100 V 140 W 69 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 94W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 18mΩ@33A,10V
产品特性 - 车规
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2470pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 D-Pak
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 56A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 12.2 毫欧 @ 60A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2930pF
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 140W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 46uA -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2930pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 100nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 60A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 100V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 100nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD60N10S412ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60N10S4-12_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
AUIRFR3710Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 18mΩ@33A,10V N-Channel 100V 56A D-Pak 车规

暂无价格 0 对比
AUIRFR3710ZTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

100V 56A 18mΩ 20V 140W N-Channel 车规

暂无价格 0 对比
DMTH8012LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.6W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~175℃(TJ) 80V 50A(Tc)

暂无价格 0 对比

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