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IPD50N04S408ATMA1  与  IPD50N04S308ATMA1  区别

型号 IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S308ATMA1
唯样编号 A-IPD50N04S408ATMA1 A-IPD50N04S308ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 46W(Tc) 68W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1780pF @ 6V 2350pF @ 25V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 17uA 4V @ 40uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 22.4nC @ 10V 35nC @ 10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 7.9 毫欧 @ 50A,10V 7.5 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 50A(Tc) 50A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
漏源电压(Vdss) 40V 40V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD50N04S408ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N04S4-08_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IPD50N04S308ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N04S3-08_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
TK35S04K3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

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暂无价格 0 对比
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暂无价格 0 对比
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暂无价格 0 对比
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BUK7208-40B_SOT428 N-Channel 167W 185℃ 3V 40V 75A

¥9.6807 

阶梯数 价格
470: ¥9.6807
1,000: ¥7.5631
1,250: ¥6.1992
2,500: ¥5.3906
0 对比

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