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IPD50N03S2L06ATMA1  与  IRFR3709Z  区别

型号 IPD50N03S2L06ATMA1 IRFR3709Z
唯样编号 A-IPD50N03S2L06ATMA1 A-IRFR3709Z
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 136W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.5mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 79W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 85uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 68nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 86A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 6.4 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 50A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 30V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.25V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2330pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD50N03S2L06ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N03S2L-06_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
DMN3009SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-252-3 80A 44W 5.5mΩ@30A,10V 30V ±20V

¥1.2078 

阶梯数 价格
50: ¥1.2078
100: ¥0.9346
1,250: ¥0.7911
2,500: ¥0.7326
2,795 对比
AOD418 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 30V ±20V 36A 50W 7.5mΩ@20A,10V -55°C~175°C

¥3.0612 

阶梯数 价格
1: ¥3.0612
100: ¥2.2059
1,000: ¥1.8987
2,500: ¥1.5
2,496 对比
IRLR8726TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 75W(Tc) 5.8mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK N-Channel 30V 86A

暂无价格 2,000 对比
AOD200 AOS 功率MOSFET

14A(Ta),36A(Tc) N-Channel ±20V 7.8 mΩ @ 20A,10V TO-252,(D-Pak) 2.5W(Ta),50W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
IRLR8256TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 63W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.7mΩ@25A,10V N-Channel 25V 81A D-Pak

暂无价格 0 对比

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