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IPD35N10S3L26ATMA1  与  IRFR4615TRLPBF  区别

型号 IPD35N10S3L26ATMA1 IRFR4615TRLPBF
唯样编号 A-IPD35N10S3L26ATMA1 A36-IRFR4615TRLPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31 Single N-Channel 150 V 42 mOhm 26 nC 144 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 71W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 42mΩ@21A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 D-Pak
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 33A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 24 毫欧 @ 35A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1750pF @ 50V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 150V
Pd-功率耗散(Max) - 144W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 39uA -
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1750pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 35A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 100V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26nC @ 10V
库存与单价
库存 0 651
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥3.993
100+ :  ¥3.333
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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阶梯数 价格
1: ¥2.1411
100: ¥2.02
500: ¥1.9056
1,000: ¥1.7978
2,000: ¥1.696
8,000: ¥1.6453
13,000 对比
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¥3.311 

阶梯数 价格
20: ¥3.311
100: ¥2.552
1,000: ¥2.211
2,000: ¥2.09
11,640 对比
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¥2.959 

阶梯数 价格
20: ¥2.959
100: ¥2.277
1,250: ¥1.98
2,500: ¥1.87
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¥3.993 

阶梯数 价格
20: ¥3.993
100: ¥3.333
651 对比

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