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IPD35N10S3L26ATMA1  与  AOD4126  区别

型号 IPD35N10S3L26ATMA1 AOD4126
唯样编号 A-IPD35N10S3L26ATMA1 A36-AOD4126
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 55
功率耗散(最大值) 71W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 24mΩ@20A,10V
Rds On(Max)@4.5V - 30mΩ
Qgd(nC) - 10
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±25V
Td(on)(ns) - 12
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55℃~175℃
连续漏极电流Id - 43A
Ciss(pF) - 1770
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 24 毫欧 @ 35A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
Trr(ns) - 20
Td(off)(ns) - 17
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 100W
Qrr(nC) - 82
VGS(th) - 4
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 39uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 35A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 100V -
Coss(pF) - 165
Qg*(nC) - 28*
库存与单价
库存 0 449
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥4.246
100+ :  ¥3.542
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