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IPD35N10S3L26ATMA1  与  IRFR1205  区别

型号 IPD35N10S3L26ATMA1 IRFR1205
唯样编号 A-IPD35N10S3L26ATMA1 A-IRFR1205
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 71W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 27mΩ@26A,10V
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 107W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 39uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 44A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 24 毫欧 @ 35A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 35A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 100V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1300pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 65nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD35N10S3L-26_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
AOD2910 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V ±20V 31A 53.5W 24mΩ@20A,10V -55℃~175℃

¥1.98 

阶梯数 价格
30: ¥1.98
100: ¥1.5345
1,250: ¥1.3266
2,500: ¥1.2672
2,510 对比
AOD4126 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V ±25V 43A 100W 24mΩ@20A,10V -55℃~175℃

¥4.246 

阶梯数 价格
20: ¥4.246
100: ¥3.542
917 对比
AOD4124 AOS 功率MOSFET

7.5A(Ta),54A(Tc) N-Channel ±25V 21 mΩ @ 20A,10V TO-252,(D-Pak) 3.1W(Ta),150W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 100V

暂无价格 0 对比
IRFR3410PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3W(Ta),110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 39mΩ@18A,10V N-Channel 100V 31A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR1205 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 55V 44A(Tc) ±20V 107W(Tc) 27mΩ@26A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK

暂无价格 0 对比

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