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IPD350N06LGBTMA1  与  DMN6040SK3-13  区别

型号 IPD350N06LGBTMA1 DMN6040SK3-13
唯样编号 A-IPD350N06LGBTMA1 A36-DMN6040SK3-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3 MOSFET N CH 60V 20A TO252
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 68W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 42W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 40mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 30V 1287 pF @ 25 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 22.4 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 28uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 5V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 20A(Tc)
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 35 毫欧 @ 29A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 29A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 60V -
库存与单价
库存 0 3,103
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥1.738
100+ :  ¥1.342
1,250+ :  ¥1.166
2,500+ :  ¥1.1
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD350N06LGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD350N06L G_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STD20NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 10,000 对比
STD20NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 7,500 对比
DMN6040SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 42W(Tc) ±20V TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 60V 20A(Tc)

¥1.738 

阶梯数 价格
30: ¥1.738
100: ¥1.342
1,250: ¥1.166
2,500: ¥1.1
3,103 对比
RSD150N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥6.0753 

阶梯数 价格
30: ¥6.0753
50: ¥4.3696
100: ¥3.8043
300: ¥3.4305
500: ¥3.3539
1,000: ¥3.2964
2,500 对比
ZXMN6A09KTC Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.15W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 60V 7.7A(Ta)

¥3.036 

阶梯数 价格
20: ¥3.036
100: ¥2.519
1,250: ¥2.299
1,850 对比

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