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IPD350N06LGBTMA1  与  AOD442  区别

型号 IPD350N06LGBTMA1 AOD442
唯样编号 A-IPD350N06LGBTMA1 A36-AOD442
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3 MOSFET N-CH 60V 38A TO-252
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 116
功率耗散(最大值) 68W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 20mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 25mΩ
Qgd(nC) - 14.4
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 30V -
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 7.4
封装/外壳 TO-252 TO-252
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 5V -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 38A
Ciss(pF) - 1920
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 35 毫欧 @ 29A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 3
Td(off)(ns) - 28.2
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 60W
Qrr(nC) - 46
VGS(th) - 3
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 28uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 29A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 60V -
Coss(pF) - 155
Qg*(nC) - 24.2
库存与单价
库存 0 2,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥2.673
100+ :  ¥2.046
1,250+ :  ¥1.793
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD350N06LGBTMA1 Infineon  数据手册 通用MOSFET

N 通道 -55°C~175°C(TJ) TO-252

暂无价格 0 当前型号
STD20NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 7,500 对比
ZXMN6A09KTC Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.15W(Ta) ±20V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 7.7A(Ta)

¥3.432 

阶梯数 价格
20: ¥3.432
100: ¥2.64
1,250: ¥2.299
2,479 对比
AOD442 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 60V 20V 38A 60W 20mΩ@10V

¥2.673 

阶梯数 价格
20: ¥2.673
100: ¥2.046
1,250: ¥1.793
2,000 对比
DMN6040SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 42W(Tc) ±20V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 20A(Tc)

¥1.826 

阶梯数 价格
30: ¥1.826
100: ¥1.408
1,250: ¥1.221
1,778 对比
RSD150N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥5.5674 

阶梯数 价格
30: ¥5.5674
50: ¥4.6092
100: ¥4.0055
300: ¥3.6126
319 对比

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