IPD350N06LGBTMA1 与 RSD150N06TL 区别
| 型号 | IPD350N06LGBTMA1 | RSD150N06TL | ||||||||
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| 唯样编号 | A-IPD350N06LGBTMA1 | A33-RSD150N06TL | ||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3 | MOSFET N-CH 60V 15A CPT3 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散(最大值) | 68W(Tc) | 20W(Tc) | ||||||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 800pF @ 30V | 930pF @ 10V | ||||||||
| FET类型 | N 通道 | N 通道 | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-252 | CPT3 | ||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2V @ 28uA | 3V @ 1mA | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 13nC @ 5V | - | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 35 毫欧 @ 29A,10V | 40 毫欧 @ 15A,10V | ||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | ±20V | ||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 29A(Tc) | 15A(Ta) | ||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V | 4V,10V | ||||||||
| 漏源电压(Vdss) | 60V | 60V | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 18nC @ 10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 319 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IPD350N06LGBTMA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~175°C(TJ) TO-252 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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STD20NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 7,500 | 对比 | ||||||||||
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ZXMN6A09KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 2.15W(Ta) ±20V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 7.7A(Ta) |
¥3.432
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2,479 | 对比 | ||||||||||
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AOD442 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V 20V 38A 60W 20mΩ@10V |
¥2.673
|
2,000 | 对比 | ||||||||||
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DMN6040SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 42W(Tc) ±20V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 20A(Tc) |
¥1.826
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1,778 | 对比 | ||||||||||
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RSD150N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
¥5.5674
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319 | 对比 |