IPD350N06LGBTMA1 与 DMN6040SK3-13 区别
| 型号 | IPD350N06LGBTMA1 | DMN6040SK3-13 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IPD350N06LGBTMA1 | A3-DMN6040SK3-13 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3 | MOSFET N CH 60V 20A TO252 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | 68W(Tc) | - |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 800pF @ 30V | - |
| FET类型 | N 通道 | - |
| 封装/外壳 | TO-252 | TO-252 |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2V @ 28uA | - |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 13nC @ 5V | - |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 35 毫欧 @ 29A,10V | - |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 29A(Tc) | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V | - |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 2,500 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IPD350N06LGBTMA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~175°C(TJ) TO-252 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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STD20NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||||||||
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STD20NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥5.928
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4,377 | 对比 | ||||||||||
|
AOD442 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V 20V 38A 60W 20mΩ@10V |
￥2.592
|
3,715 | 对比 | ||||||||||
|
|
STD20NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥5.496
|
2,500 | 对比 | ||||||||||
|
DMN6040SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
TO-252 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 |
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